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JUTAIHPM® Lite LK 시리즈: 고주파 애플리케이션을 위한 고급 저유전체 재료
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JUTAIHPM® Lite LK 시리즈: 고주파 애플리케이션을 위한 고급 저유전체 재료

조회수: 0     작성자: 사이트 편집자 게시 시간: 2026-09-10 출처: 대지

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ATE 테스트 플랫폼 및 패키지 기판부터 고속 커넥터 및 5G 안테나에 이르기까지 전기 신호는 전송 경로의 모든 세그먼트를 따라 유전체 재료를 통과합니다.

작동 주파수가 증가함에 따라 재료는 더 이상 구조적 지지 및 전기 절연 역할만 할 수 없습니다. Dk는 임피던스 일관성에 영향을 미치는 반면 Df는 유전 손실에 영향을 미칩니다. 수분 흡수, 열 변형 및 치수 드리프트로 인해 설계 마진이 더욱 줄어들 수 있습니다.

데이터 속도가 28G NRZ에서 112G PAM4로 발전하고 작동 주파수가 6GHz에서 77GHz 밀리미터파 대역으로 확장됨에 따라 재료는 낮은 손실, 습도 안정성, 내열성 및 정밀 성형성을 동시에 제공해야 합니다.

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고속 상호 연결 설계에서는 단일 유전 값으로는 결코 충분하지 않습니다. 또한 재료는 습도, 열 및 엄격한 치수 요구 사항에서도 장기적인 일관성을 유지해야 합니다.

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LK 시리즈는 유전체 성능, 내열성, 밀도 및 구조적 요구 사항을 중심으로 개발된 4가지 등급으로 구성되어 예비 재료 선택을 위한 명확한 출발점을 제공합니다.

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낮은 손실은 고속 신호 전송의 기초입니다. 그러나 실제 부품의 재료는 습한 열 환경, 중량 제약, 다양한 온도 요구 사항, 얇은 벽, 미세 구멍 및 복잡한 형상의 처리 요구 사항도 견뎌야 합니다.

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4개 등급은 단순히 성과 수준의 높고 낮음으로 정리되는 것이 아닙니다. 각 등급은 다양한 적용 요건 조합을 중심으로 설계되었습니다.

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칩 테스트

테스트 소켓, 프로브 카드 및 번인 소켓은 낮은 손실, 정렬 정확도 및 높은 온도에서의 안정적인 성능을 결합해야 합니다.

웨이퍼 및 캐리어

IC 트레이, 웨이퍼 캐리어 및 자동 처리 구성 요소는 경량 구조, 청결성, 낮은 수분 흡수성 및 치수 안정성의 이점을 누리고 있습니다.

고속 상호 연결

56G/112G PAM4 커넥터와 소형화된 인터페이스는 Dk, Df, 얇은 벽 성형 및 내열성에 대한 요구 사항을 모두 충족합니다.

고주파수 및 산업용

응용 분야에는 5G 및 위성 통신은 물론 일반 세척 매체에 대한 내성이 필요한 산업용 구성 요소가 포함됩니다. 최종 등급 선택은 실제 작동 조건에서 검증되어야 합니다.

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고주파 상호 연결 재료의 가치는 하나의 낮은 숫자로 정의되지 않습니다. 이는 Dk 및 Df를 제어하는 ​​동시에 수분 흡수, 내열성, 치수 정확도, 기계적 특성 및 프로세스 호환성을 해결하는 등 신호 경로 전반에 걸쳐 일관된 성능에서 비롯됩니다.

LK-01, LK-02, LK-03 및 LK-04는 네 가지 선택 방향을 제공하여 설계자가 실제 애플리케이션 요구 사항에 따라 낮은 손실, 낮은 열팽창, 구조적 강성 및 고온 하중 지지 성능의 균형을 맞추는 데 도움이 됩니다.

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