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JUTAIHPM® Lite LK-Serie: Fortschrittliche Materialien mit geringer Dielektrizität für Hochfrequenzanwendungen
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JUTAIHPM® Lite LK-Serie: Fortschrittliche Materialien mit geringer Dielektrizität für Hochfrequenzanwendungen

Aufrufe: 0     Autor: Site-Editor Veröffentlichungszeit: 10.09.2026 Herkunft: Website

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Von ATE-Testplattformen und Gehäusesubstraten bis hin zu Hochgeschwindigkeitssteckverbindern und 5G-Antennen durchlaufen elektrische Signale entlang jedes Segments des Übertragungspfads dielektrische Materialien.

Mit steigenden Betriebsfrequenzen können Materialien nicht mehr nur als strukturelle Unterstützung und elektrische Isolierung dienen. Dk beeinflusst die Impedanzkonsistenz, während Df zum dielektrischen Verlust beiträgt. Feuchtigkeitsaufnahme, thermische Verformung und Maßabweichung können die Designspielräume weiter verringern.

Da die Datenraten von 28G NRZ auf 112G PAM4 steigen und die Betriebsfrequenzen von 6 GHz auf das 77-GHz-Millimeterwellenband ausgeweitet werden, müssen Materialien gleichzeitig geringe Verluste, hygrothermische Stabilität, Hitzebeständigkeit und präzise Formbarkeit bieten.

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Beim Design von Hochgeschwindigkeitsverbindungen reicht ein einzelner dielektrischer Wert nie aus. Materialien müssen auch unter Feuchtigkeit, Hitze und strengen Dimensionsanforderungen eine langfristige Konsistenz beibehalten.

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Die LK-Serie umfasst vier Typen, die im Hinblick auf dielektrische Leistung, Wärmebeständigkeit, Dichte und strukturelle Anforderungen entwickelt wurden und einen klaren Ausgangspunkt für die vorläufige Materialauswahl bieten.

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Geringer Verlust ist die Grundlage einer Hochgeschwindigkeitssignalübertragung. In realen Bauteilen müssen Materialien jedoch auch Umgebungen mit feuchter Hitze, Gewichtsbeschränkungen, unterschiedlichen Temperaturanforderungen und den Verarbeitungsanforderungen dünner Wände, Mikrolöcher und komplexer Geometrien standhalten.

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Die vier Stufen sind nicht einfach in höhere und niedrigere Leistungsstufen eingeteilt. Jede Klasse ist auf eine andere Kombination von Anwendungsanforderungen ausgelegt.

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CHIP-TEST

Testsockel, Sondenkarten und Einbrennsockel müssen geringe Verluste, Ausrichtungsgenauigkeit und zuverlässige Leistung bei erhöhten Temperaturen vereinen.

WAFER & TRÄGER

IC-Trays, Waferträger und automatisierte Handhabungskomponenten profitieren von Leichtbauweise, Sauberkeit, geringer Feuchtigkeitsaufnahme und Dimensionsstabilität.

HIGH-SPEED-VERBINDUNGEN

56G/112G PAM4-Steckverbinder und miniaturisierte Schnittstellen stellen kombinierte Anforderungen an Dk, Df, dünnwandige Formgebung und Hitzebeständigkeit.

HOCHFREQUENZ & INDUSTRIE

Zu den Anwendungen gehören 5G und Satellitenkommunikation sowie Industriekomponenten, die eine Beständigkeit gegenüber gängigen Reinigungsmedien erfordern. Die endgültige Sortenauswahl sollte unter den tatsächlichen Betriebsbedingungen validiert werden.

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Der Wert eines Hochfrequenz-Verbindungsmaterials wird nicht durch eine niedrigere Zahl definiert. Dies beruht auf einer konsistenten Leistung im gesamten Signalpfad: Kontrolle von Dk und Df bei gleichzeitiger Berücksichtigung von Feuchtigkeitsaufnahme, Wärmebeständigkeit, Maßhaltigkeit, mechanischen Eigenschaften und Prozesskompatibilität.

LK-01, LK-02, LK-03 und LK-04 bieten vier Auswahlrichtungen und helfen Designern dabei, geringe Verluste, geringe Wärmeausdehnung, strukturelle Steifigkeit und Tragfähigkeit bei hohen Temperaturen entsprechend den tatsächlichen Anwendungsanforderungen in Einklang zu bringen.

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