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Serie JUTAIHPM® Lite LK: materiales avanzados de bajo dieléctrico para aplicaciones de alta frecuencia
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Serie JUTAIHPM® Lite LK: materiales avanzados de bajo dieléctrico para aplicaciones de alta frecuencia

Vistas: 0     Autor: Editor del sitio Hora de publicación: 2026-09-10 Origen: Sitio

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Desde plataformas de prueba ATE y sustratos de paquetes hasta conectores de alta velocidad y antenas 5G, las señales eléctricas pasan a través de materiales dieléctricos a lo largo de cada segmento de la ruta de transmisión.

A medida que aumentan las frecuencias de funcionamiento, los materiales ya no pueden servir únicamente como soporte estructural y aislamiento eléctrico. Dk afecta la consistencia de la impedancia, mientras que Df contribuye a la pérdida dieléctrica. La absorción de humedad, la deformación térmica y la variación dimensional pueden reducir aún más los márgenes de diseño.

A medida que las velocidades de datos avanzan de 28G NRZ a 112G PAM4 y las frecuencias operativas se extienden de 6 GHz a la banda de ondas milimétricas de 77 GHz, los materiales deben ofrecer bajas pérdidas, estabilidad higrotérmica, resistencia al calor y moldeabilidad de precisión al mismo tiempo.

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En el diseño de interconexiones de alta velocidad, un único valor dieléctrico nunca es suficiente. Los materiales también deben mantener una consistencia a largo plazo bajo humedad, calor y requisitos dimensionales estrictos.

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La serie LK comprende cuatro grados desarrollados en torno al rendimiento dieléctrico, la resistencia al calor, la densidad y los requisitos estructurales, lo que proporciona un punto de partida claro para la selección preliminar de materiales.

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La baja pérdida es la base de la transmisión de señales de alta velocidad. Sin embargo, en los componentes reales, los materiales también deben resistir ambientes de calor húmedo, limitaciones de peso, diferentes requisitos de temperatura y las demandas de procesamiento de paredes delgadas, microagujeros y geometrías complejas.

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Los cuatro grados no están simplemente ordenados como niveles de desempeño superiores e inferiores. Cada grado está diseñado en torno a una combinación diferente de requisitos de aplicación.

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PRUEBAS DE CHIP

Los zócalos de prueba, las tarjetas de sonda y los zócalos precintados deben combinar bajas pérdidas, precisión de alineación y rendimiento confiable a temperaturas elevadas.

OBLEAS Y PORTADORES

Las bandejas de circuitos integrados, los portadores de obleas y los componentes de manipulación automatizada se benefician de una construcción liviana, limpieza, baja absorción de humedad y estabilidad dimensional.

INTERCONEXIONES DE ALTA VELOCIDAD

Los conectores PAM4 56G/112G y las interfaces miniaturizadas plantean demandas combinadas de Dk, Df, molduras de pared delgada y resistencia al calor.

ALTA FRECUENCIA E INDUSTRIAL

Las aplicaciones incluyen 5G y comunicaciones por satélite, así como componentes industriales que requieren resistencia a los medios de limpieza comunes. La selección de la calidad final debe validarse en las condiciones operativas reales.

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El valor de un material de interconexión de alta frecuencia no está definido por un número inferior. Proviene de un rendimiento constante en toda la ruta de la señal: controlando Dk y Df y al mismo tiempo abordando la absorción de humedad, la resistencia al calor, la precisión dimensional, las propiedades mecánicas y la compatibilidad del proceso.

LK-01, LK-02, LK-03 y LK-04 proporcionan cuatro direcciones de selección, lo que ayuda a los diseñadores a equilibrar bajas pérdidas, baja expansión térmica, rigidez estructural y rendimiento de carga a alta temperatura de acuerdo con los requisitos de la aplicación real.

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